Guías Académicas

MATERIALES PARA DISPOSITIVOS MICROELECTRÓNICOS, NANOELECTRÓNICOS Y FOTOVOLTAICOS

MATERIALES PARA DISPOSITIVOS MICROELECTRÓNICOS, NANOELECTRÓNICOS Y FOTOVOLTAICOS

GRADO EN INGENIERÍA DE MATERIALES

Curso 2022/2023

1. Datos de la asignatura

(Fecha última modificación: 18-05-22 10:07)
Código
106940
Plan
ECTS
3.00
Carácter
OPTATIVA
Curso
4
Periodicidad
Segundo Semestre
Área
FÍSICA APLICADA
Departamento
Física Aplicada
Plataforma Virtual

Campus Virtual de la Universidad de Salamanca

Datos del profesorado

Profesor/Profesora
Beatriz García Vasallo
Grupo/s
1
Centro
E. Politécnica Superior de Zamora
Departamento
Física Aplicada
Área
Electrónica
Despacho
223 (Ed. Magisterio) / T2102 (Trilingüe)
Horario de tutorías
Ver en : https://politecnicazamora.usal.es/estudiantes/#informacion-academica
URL Web
http://nanoelec.usal.es
E-mail
bgvasallo@usal.es
Teléfono
980 545 000 Ext. 3776/ 6330
Profesor/Profesora
Ignacio Íñiguez de la Torre Mulas
Grupo/s
1
Centro
Fac. Ciencias
Departamento
Física Aplicada
Área
Electrónica
Despacho
T2104 (Trilingüe)
Horario de tutorías
Ver en : https://politecnicazamora.usal.es/estudiantes/#informacion-academica
URL Web
http://diarium.usal.es/indy/
E-mail
indy@usal.es
Teléfono
6328

2. Sentido de la materia en el plan de estudios

Bloque formativo al que pertenece la materia.

Comportamiento Electrónico, Térmico, Óptico y Magnético de los Materiales

Papel de la asignatura.

Se trata de una asignatura de carácter optativo, dentro del cuarto curso del plan de estudios. En ella se explican los materiales empleados en la fabricación de dispositivos microelectrónicos, nanoelectrónicos y fotovoltaicos.

Se complementa con la asignatura optativa Procesos y tecnologías de fabricación en electrónica del cuarto curso, donde se tratan los dispositivos electrónicos más importantes y aplicaciones en el sector industrial.

Perfil profesional.

Ingeniería de Materiales con especialización en materiales empleados en microelectrónica.

3. Recomendaciones previas

Es recomendable haber cursado previamente Comportamiento Electrónico de los Materiales del tercer curso.

Se recomienda cursar la asignatura Procesos y tecnologías de fabricación en Electrónica del primer semestre de cuarto curso.

4. Objetivo de la asignatura

Conocer y aplicar las tecnologías y dispositivos actuales en el ámbito de la nanoelectrónica y sus aplicaciones de altas prestaciones en diversos sectores industriales. Que conozca las propiedades de los materiales empleados en nanoelectrónica y cómo influyen en el comportamiento de los dispositivos.

5. Contenidos

Teoría.

  1. Presente y futuro de la tecnología de los dispositivos microelectrónicos

I.1 Diodos: unión p-n, diodo Schottky, diodo Gunn

I.2 Transistores: FET, CMOS

  1. Dispositivos basados en heteroestructuras semiconductoras

II.1 Heteroestructuras semiconductoras para aplicaciones de altas prestaciones

II.2. Principios de funcionamiento del HEMT

  1. Materiales para nanoestructuras electrónicas y optoelectrónicas

III.1 Pozos cuánticos. Dispositivos basados en materiales 2D

III.2 Hilos cuánticos. Puntos cuánticos

 

Práctica.

1. Medidas CV de uniones PN y MOS

2. Características I-V de dispositivos de 2 y 3 terminales

3. Introducción a las medidas de RF

6. Competencias a adquirir

Básicas / Generales.

CG1 Que los estudiantes adquieran la capacidad de trabajo interdisciplinar inherente a la ciencia e ingeniería de los materiales.

CB2 Que los estudiantes sepan aplicar sus conocimientos a su trabajo o vocación de una forma profesional y posean las competencias que suelen demostrarse por medio de la elaboración y defensa de argumentos y la resolución de problemas dentro de su área de estudio

CB3 Que los estudiantes tengan la capacidad de reunir e interpretar datos relevantes (normalmente dentro de su área de estudio) para emitir juicios que incluyan una reflexión sobre temas relevantes de índole social, científica o ética

CB4 Que los estudiantes puedan transmitir información, ideas, problemas y soluciones a un público tanto especializado como no especializado

CB5 Que los estudiantes hayan desarrollado aquellas habilidades de aprendizaje necesarias para emprender estudios posteriores con un alto grado de autonomía

Específicas.

CEE2 Que los estudiantes describan y modelicen el comportamiento (mecánico, electrónico, óptico, térmico, magnético, químico) de los materiales y su integración en componentes y dispositivos.

7. Metodologías

Clases de teoría

Se expondrá el contenido teórico de los temas en clases presenciales, para transmitir a los estudiantes los conocimientos ligados a las competencias previstas.

Seminarios

Se desarrollarán los conceptos clave por medio de cuestiones y ejemplos especialmente diseñados al efecto, de forma que los estudiantes adquieran las competencias previstas, en grupos reducidos y con la participación activa de los alumnos. Asimismo, se propondrán ejercicios y cuestiones adicionales para la resolución individual y entrega por parte de los alumnos.

Tutorías

Las tutorías tienen como objetivo fundamental que los estudiantes puedan exponer las dificultades y dudas que les hayan surgido, tanto en la comprensión de la teoría como en la resolución de los problemas.

Trabajos prácticos

Los alumnos realizarán trabajos sobre temas afines a la materia, pudiéndose realizar en forma de prácticas de laboratorio. Se fomentará el debate y la discusión de los trabajos.

Interacción online

Se realizará mediante la plataforma Studium de la USAL. Se utilizará para la planificación, el intercambio de documentos y la interacción habitual con los estudiantes para el desarrollo de las actividades previamente descritas.

8. Previsión de Técnicas (Estrategias) Docentes

9. Recursos

Libros de consulta para el alumno.

- ROBERT F. PIERRET, Dispositivos de efecto de campo, Addison-Wesley Iberoamericana 1994.

- ALBELLA J.M., FERNÁNDEZ-DUART J. M., y AGULLÓ-RUEDA F. Fundamentos de microelectrónica, nanoelectrónica y fotónica, Ed. Pearson, 2005.

Otras referencias bibliográficas, electrónicas o cualquier otro tipo de recurso.

Libros online:

Albella-Martín J., Fundamentos de Electrónica Física y Microelectrónica

http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica_indice.html

http://ecee.colorado.edu/~bart/book/

http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/hframe.html

Material proporcionado a través del Campus Virtual (Studium) de la USAL.

10. Evaluación

Consideraciones generales.

La evaluación de las competencias de la asignatura se basará en el trabajo continuado, controlado periódicamente con diferentes instrumentos de evaluación, conjuntamente con una prueba escrita final.

Criterios de evaluación.

La adquisición de las competencias se evaluará a partir de la valoración de los resultados de aprendizaje de carácter teórico y práctico mediante actividades de evaluación continua (50%) y una prueba escrita final (50%).

Una vez evaluadas y ponderadas las diferentes actividades, para superar la asignatura será necesario alcanzar una nota final mínima de 5 sobre 10.

Instrumentos de evaluación.

  • Resolución individual de ejercicios, informes de prácticas y trabajos propuestos.
  • Prueba escrita final que consistirá en el desarrollo de contenidos relacionados con la asignatura con el apoyo de esquemas y resúmenes previamente elaborados como parte de la evaluación continua.

Recomendaciones para la evaluación.

Para la adquisición de las competencias previstas en esta asignatura se recomienda la asistencia y participación activa en todas las actividades programadas.

Recomendaciones para la recuperación.

Las pruebas de recuperación extraordinarias se realizarán conforme al calendario que apruebe la Junta de Centro. Al igual que en la evaluación ordinaria, se recomienda haber asistido y participado activamente en las actividades programadas durante el periodo lectivo.