MATERIALES PARA DISPOSITIVOS MICROELECTRÓNICOS, NANOELECTRÓNICOS Y FOTOVOLTAICOS
GRADO EN INGENIERÍA DE MATERIALES
Curso 2025/2026
1. Datos de la asignatura
(Fecha última modificación: 11-06-25 14:06)- Código
- 106940
- Plan
- ECTS
- 3.00
- Carácter
- OPTATIVA
- Curso
- 4
- Periodicidad
- Segundo Semestre
- Idioma
- ESPAÑOL
- Área
- FÍSICA APLICADA
- Departamento
- Física Aplicada
- Plataforma Virtual
Datos del profesorado
- Profesor/Profesora
- Juan Antonio Delgado Notario
- Grupo/s
- 1
- Centro
- Fac. Ciencias
- Departamento
- Física Aplicada
- Área
- Electrónica
- Despacho
- 223 (Ed. Magisterio) / 14 (planta 1, Edifico multiusos I+D+i)
- Horario de tutorías
- Solicitar por correo electrónico
- URL Web
- https://produccioncientifica.usal.es/investigadores/329011/detalle
- juanandn@usal.es
- Teléfono
- -
- Profesor/Profesora
- Héctor Sánchez Martín
- Grupo/s
- 1
- Centro
- Fac. Ciencias
- Departamento
- Física Aplicada
- Área
- Electrónica
- Despacho
- Sala 05 Edificio I+D+i
- Horario de tutorías
- Previa cita on-line
- URL Web
- https://produccioncientifica.usal.es/investigadores/328752/detalle
- hectorsanchezmartin@usal.es
- Teléfono
- 923294500. Ext. 5544
2. Recomendaciones previas
Es recomendable haber cursado previamente Comportamiento Electrónico de los Materiales del tercer curso.
Se recomienda cursar la asignatura Procesos y tecnologías de fabricación en Electrónica del primer semestre de cuarto curso.
3. Objetivos
Conocer y aplicar los materiales del pasado, presente y futuro en tecnologías y dispositivos del ámbito de la nanoelectrónica.
Obtener propiedades de los materiales empleados en la nanoelectrónica mediante técnicas ópticas y eléctricas y cómo influyen en el comportamiento de los dispositivos.
Entender las aplicaciones de dichos materiales en diversos sectores.
4. Competencias a adquirir | Resultados de Aprendizaje
Básicas / Generales | Conocimientos.
CG1, CB2, CB3, CB4, CB5
Específicas | Habilidades.
CEE2
5. Contenidos
Teoría.
Introducción a los materiales
I.1 Pasado, presente y futuro de la tecnología de los dispositivos microelectrónicos
I.2 Clasificaciones de los materiales electrónicos
I.3 Nuevos materiales bidimensionales para dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.
Técnicas de caracterización de los materiales semiconductores
II.1 Técnicas ópticas de caracterización de materiales
II.2. Técnicas eléctricas de caracterización de materiales
Dispositivos avanzados para aplicaciones de alta frecuencia
III.1 Diodos: Desde la unión básica p-n hasta diodos Schottky, diodos Gunn o diodos efecto túnel.
III.2 Transistores: Desde el MOSFET hasta tecnología basada en HEMTs o CMOS
III.3 Nuevos dispositivos basados en materiales 2D
IV.4 Aplicación de los dispositivos avanzados en la detección y emisión de radiación de RF.
Práctica.
Se realizarán en el Edificio I+D+i de la USAL (Salamanca):
1. Caracterización de espesores y GAPs en semiconductores III-V y materiales 2D mediante técnicas ópticas avanzadas.
2. Medida de las características I-V en dispositivos electrónicos de 2 y 3 terminales e introducción a la detección de señales de alta frecuencia (THz).
6. Metodologías Docentes
Clases de teoría
Se expondrá el contenido teórico de los temas en clases presenciales, para transmitir a los estudiantes los conocimientos ligados a las competencias previstas.
Seminarios
Se desarrollarán los conceptos clave por medio de cuestiones y ejemplos especialmente diseñados al efecto, de forma que los estudiantes adquieran las competencias previstas, en grupos reducidos y con la participación activa de los alumnos. Asimismo, se propondrán ejercicios y cuestiones adicionales para la resolución individual y entrega por parte de los alumnos.
Tutorías
Las tutorías tienen como objetivo fundamental que los estudiantes puedan exponer las dificultades y dudas que les hayan surgido, tanto en la comprensión de la teoría como en la resolución de los problemas.
Trabajos prácticos
Los alumnos realizarán trabajos sobre temas afines a la materia, pudiéndose realizar en forma de prácticas de laboratorio. Se fomentará el debate y la discusión de los trabajos.
Interacción online
Se realizará mediante la plataforma Studium de la USAL. Se utilizará para la planificación, el intercambio de documentos y la interacción habitual con los estudiantes para el desarrollo de las actividades previamente descritas.
Prácticas
Se realizarán en el Edificio I+D+i de la USAL (Salamanca). Se realizarán prácticas donde se podrá implementar diferentes técnicas expuestas en las clases teóricas.
7. Distribución de las Metodologías Docentes
8. Recursos
Libros de consulta para el alumno.
- ROBERT F. PIERRET, Dispositivos de efecto de campo, Addison-Wesley Iberoamericana 1994.
- ALBELLA J.M., FERNÁNDEZ-DUART J. M., y AGULLÓ-RUEDA F. Fundamentos de microelectrónica, nanoelectrónica y fotónica, Ed. Pearson, 2005.
- ALBELLA J.M., FERNÁNDEZ-DUART J. M., y AGULLÓ-RUEDA F. Fundamentos de microelectrónica, nanoelectrónica y fotónica, Ed. Pearson, 2005.
Otras referencias bibliográficas, electrónicas o cualquier otro tipo de recurso.
Libros online:
Albella-Martín J., Fundamentos de Electrónica Física y Microelectrónica
http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica_indice.html
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/hframe.html
Material proporcionado a través del Campus Virtual (Studium) de la USAL.
9. Evaluación
Criterios de evaluación.
La adquisición de las competencias se evaluará a partir de la valoración de los resultados de aprendizaje de carácter teórico y práctico mediante actividades de evaluación continua (50%) y una prueba escrita final (50%).
Una vez evaluadas y ponderadas las diferentes actividades, para superar la asignatura será necesario alcanzar una nota final mínima de 5 sobre 10.
Sistemas de evaluación.
Resolución individual de ejercicios, informes de prácticas y trabajos propuestos.
Prueba escrita final que consistirá en el desarrollo de contenidos relacionados con la asignatura con el apoyo de esquemas y resúmenes previamente elaborados como parte de la evaluación continua.
Recomendaciones para la evaluación.
Para la adquisición de las competencias previstas en esta asignatura se recomienda la asistencia y participación activa en todas las actividades programadas.