PROCESOS Y TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN EN ELECTRÓNICA
GRADO EN INGENIERÍA DE MATERIALES
Curso 2025/2026
1. Datos de la asignatura
(Fecha última modificación: 11-06-25 13:59)- Código
- 106937
- Plan
- ECTS
- 3.00
- Carácter
- OPTATIVA
- Curso
- 4
- Periodicidad
- Primer Semestre
- Idioma
- ESPAÑOL
- Área
- ELECTRÓNICA
- Departamento
- Física Aplicada
- Plataforma Virtual
Datos del profesorado
- Profesor/Profesora
- José Manuel Caridad Hernández
- Grupo/s
- 1
- Centro
- Fac. Ciencias
- Departamento
- Física Aplicada
- Área
- Electrónica
- Despacho
- Despacho 246. Edificio Politécnica
- Horario de tutorías
- Lunes: 13:00 a 14:00
Miércoles: 11:00 a 14:00
Despacho 246. Edificio Politécnica
- URL Web
- https://produccioncientifica.usal.es/investigadores/147994/detalle
- jose.caridad@usal.es
- Teléfono
- 677 565 451 (Ext. 6331)
- Profesor/Profesora
- Juan Antonio Delgado Notario
- Grupo/s
- 1
- Centro
- Fac. Ciencias
- Departamento
- Física Aplicada
- Área
- Electrónica
- Despacho
- 223 (Ed. Magisterio) / 14 (planta 1, Edifico multiusos I+D+i)
- Horario de tutorías
- Consultar previamente por correo electrónico
- URL Web
- https://produccioncientifica.usal.es/investigadores/329011/detalle
- juanandn@usal.es
- Teléfono
- -
2. Recomendaciones previas
Es recomendable haber cursado previamente Comportamiento Electrónico de los Materiales del tercer curso.
3. Objetivos
- Comprender las propiedades físicas y electrónicas de los semiconductores de uso industrial, así como de los materiales bidimensionales (2D) empleados en la investigación más moderna.
- Aprender y distinguir los métodos de obtención de materiales electrónicos, incluyendo extracción, purificación y síntesis (exfoliación, deposición química) de semiconductores y materiales 2D.
- Identificar y comprender los procesos necesarios en el flujo completo de fabricación de un dispositivo electrónico, tanto en entornos industriales como en contextos de investigación, englobando las etapas iniciales (litografía a nano- y microescala, revelado y alineación), los procesos intermedios (dopado, oxidación, crecimiento epitaxial, deposición y grabado) y las técnicas finales de empaquetado y ensamblaje de microchips.
4. Competencias a adquirir | Resultados de Aprendizaje
Básicas / Generales | Conocimientos.
CG1, CB1, CB2, CB3, CB4, CB5
Específicas | Habilidades.
CEE2
5. Contenidos
Teoría.
- Comportamiento de los dispositivos electrónicos más básicos.
- Procesos de crecimiento y síntesis de materiales electrónicos, abarcando desde materiales industriales como el Silicio hasta los materiales bidimensionales más investigados en la actualidad.
- Procesos de litografía a nano- y micro- escala y grabado de materiales.
- Formación, deposición y propiedades de capas aislantes y conductoras.
- Procesos de dopado en semiconductores.
- Montaje y empaquetado.
Práctica.
Se realizarán en el Edificio I+D+i de la USAL (Salamanca)
- Fabricación, identificación y apilamiento de diversos materiales bidimensionales.
- Procesos de litografía a escalas micrométrica mediante litografía óptica
- Procesos de grabado mediante iones reactivos.
- Empaquetamiento y microsoldadura.
6. Metodologías Docentes
Clases magistrales de teoría
Se expondrá el contenido teórico de los temas en clases presenciales, para transmitir a los estudiantes los conocimientos ligados a las competencias previstas.
Seminarios
Se realizarán seminarios que permitirán fijar y ampliar los conocimientos adquiridos en las sesiones magistrales. Se desarrollarán los conceptos clave por medio de cuestiones y ejemplos especialmente diseñados al efecto, de forma que los estudiantes adquieran las competencias previstas, en grupos reducidos y con la participación activa de los alumnos. Asimismo, se propondrán ejercicios y cuestiones adicionales para la resolución individual y entrega por parte de los alumnos.
Tutorías
Las tutorías tienen como objetivo fundamental que los estudiantes puedan exponer las dificultades y dudas que les hayan surgido, tanto en la comprensión de la teoría como en la resolución de los problemas.
Trabajos
Los alumnos realizarán trabajos sobre temas afines a la materia. Se fomentará el debate y la discusión de los trabajos por parte de todos los estudiantes en sesiones en grupos reducidos donde se expondrán los mismos.
Interacción online
Se realizará mediante la plataforma Studium de la USAL. Se utilizará para la planificación, el intercambio de documentos y la interacción habitual con los estudiantes para el desarrollo de las actividades previamente descritas.
Prácticas
Se realizarán en el Edificio I+D+i de la USAL (Salamanca). Se realizarán prácticas donde se podrá implementar diferentes técnicas expuestas en las clases teóricas.
7. Distribución de las Metodologías Docentes
8. Recursos
Libros de consulta para el alumno.
STREETMAN B. G. (1995) Solid State Electronic Devices. Prentice-Hall, 1995
SZE. S. M., Semiconductor devices: Physics and Technology. Ed. Wiley, 1985
GHANDHI. S. K., VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide. Ed. Wiley Interscience, 1994
ALBELLA J.M., FERNÁNDEZ-DUART J. M., y AGULLÓ-RUEDA F. Fundamentos de microelectrónica, nanoelectrónica y fotónica, Ed. Pearson, 2005.
Otras referencias bibliográficas, electrónicas o cualquier otro tipo de recurso.
Material de la asignatura proporcionado en la plataforma Studium.
9. Evaluación
Criterios de evaluación.
La adquisición de las competencias se evaluará a partir de la valoración de los resultados de aprendizaje de carácter teórico y práctico mediante actividades de evaluación continua y una prueba escrita final.
La valoración de resolución de ejercicios y exposición de trabajos etc. (evaluación continua) tendrá un peso porcentual del 50% de la nota final.
La prueba escrita final tendrá un peso porcentual del 50% en la evaluación. Será necesario obtener un mínimo de 4 puntos sobre 10 en la nota de esta prueba escrita final: de no alcanzarse este mínimo no se podrá superar la asignatura.
Una vez evaluadas y ponderadas las diferentes actividades, para superar la asignatura será necesario alcanzar una nota final mínima de 5 sobre 10, teniendo en cuenta el condicionante previamente señalado respecto a la nota de la prueba escrita final.
Sistemas de evaluación.
Prueba escrita final en forma de cuestiones teóricas y prácticas.
Resolución individual de ejercicios y trabajos propuestos durante el desarrollo de la asignatura junto a la discusión presencial/online de los mismos.
Recomendaciones para la evaluación.
Para la adquisición de las competencias previstas en esta asignatura se recomienda la asistencia y participación activa en todas las actividades programadas.